近日，一个200亿级别的SiC IDM项目成功签约落户湖北武汉，或将成为国内最大的SiC功率半导体制造基地。

实际上，今年以来，湖北还有4个在建的SiC项目，涉及环节包括衬底、器件、模块等。

8月25日，长飞先进一行与武汉东湖高新区举行了半导体合作项目签约仪式，就第三代半导体功率器件研发生产基地项目达成合作。

(相关资料图)

签约现场

据介绍，双方已签署了第三代半导体功率器件研发生产基地项目合作协议。该项目总投资预计超过200亿元，其中项目一期总投资约100亿元，项目建设内容包括第三代半导体外延、晶圆制造、封测等产线，建设完毕后将形成年产36万片6英寸碳化硅晶圆及外延、年产6100万个功率器件模块的能力。

据“行家说三代半”此前报道，该项目于今年5月宣布启动；今年6月，长飞先进宣布拟投资人民币60亿元建设第三代半导体功率器件生产项目，资金来源包括约36亿元的股权融资及约24亿元的银行贷款。

该项目预计2025年建设完成，届时将成为国内最大的SiC功率半导体制造基地。

此外，该项目还将建设第三代半导体科技创新中心，用于跟进第三代半导体国际前沿技术并开发第三代半导体器件先进工艺。

长飞先进武汉基地鸟瞰图

目前，长飞先进已成功实现由“Foundry”到“IDM+Foundry”的业务转型，打造了完整的650V-3300V SiC产品矩阵；长飞光纤持有长飞先进22.9008%的股权，长飞先进不再纳入上市公司合并报表范围，为长飞光纤的合营公司。

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据“行家说三代半”不完全统计，2023年以来，湖北省还有4个在建的SiC项目。

●潜江市年产30万片项目

1月，据湖北省公共资源交易平台披露，年产30万片碳化硅晶体项目已经通过潜江市发展和改革委员会审核，计划将于2023年在潜江市开工。

该碳化硅项目总投资约为2.24亿元，主要将新建厂房22860平方米，购置生产设备130台套及环保配套设施。预计项目投产后，将形成年产30万片碳化硅晶体（其中碳化硅涂层20万片，碳化硅晶圆10万片）的能力。

●吉盛微半导体SiC项目

5月6日，湖北武汉经开综合保税区及港口物流园新签约了四个重大项目，其中包含一个碳化硅项目——吉盛微半导体SiC项目。

据悉，该项目总投资20亿元，主要从事碳化硅材料研发及生产制造，目前已完成公司注册、项目备案等手续，正在进行厂房装修招标，预计在7月投产。

●智新半导体二期项目

5月18日，湖北武汉市二季度22个重大项目集中开工，其中包括智新半导体二期项目。该项目将新建一条车规级IGBT模块生产线，实现新增年产30万件汽车模块生产能力。更重要的是，智新已购置相关工艺设备，具备SiC模块研发及生产能力，满足新能源汽车、新能源装备、工业变频等高端应用领域对IGBT、SiC产品的需求。

●九峰山6吋中试线通线

8月1日，九峰山实验室6吋SiC中试线全面通线，实现了首批沟槽型SiC MOSFET器件晶圆下线。

九峰山实验室于2021年由湖北省人民政府正式批复组建，是9大湖北实验室之一，已建成9000平方米洁净室以及化合物半导体工艺、检测、材料平台，4/6/8 inch工艺平台全兼容。他们已经形成了碳化硅沟槽器件制备的自主IP成套工艺技术能力，在4个月内连续攻克碳化硅（SiC）器件刻蚀均一性差、注入后翘曲度高、栅极底部微沟槽等十余项关键工艺问题。

注：本文来源地方政府及企业官网，仅供信息参考，不代表“行家说三代半”观点。